전작보다 저장 밀도 1.5배 증가
AI서버 SSD 시장 등 선도 기대
삼성전자는 업계 최초로 1테라비트(Tb) TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.
TLC는 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.
V낸드는 평면에 집적했던 셀을 수직으로 쌓아 올린 뒤 이를 관통하는 구멍(채널 홀)을 뚫어 각 층을 연결한 제품으로, 2013년 삼성전자가 세계 최초로 개발했다.
쉽게 표현하면 더 많은 사람(데이터)을 수용하기 위해 1층짜리 단독주택을 더 작게 촘촘히 짓던 것을, 고도 제한이 없는 고층아파트로 대체한 것이다.
9세대 V낸드는 현재 삼성전자의 주력 제품인 236단 8세대 V낸드(V8)의 뒤를 잇는 최첨단 제품이다.
더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 적층(셀을 쌓아 올린 층) 단수인 290단을 구현한 것으로 전해졌다.
290층짜리 아파트인 셈이다.
더블 스택이란 낸드를 두 번에 걸쳐 구멍을 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방식이다.
V낸드의 원가 경쟁력은 공정은 줄이는 게 핵심인데, 더블 스택을 적용하면 구멍을 뚫는 횟수를 최소화할 수 있다.
V9은 단위 면적당 저장되는 비트 수인 비트 밀도를 V8 대비 약 1.5배 증가시키고 데이터 입출력 속도를 33% 향상시켜 초당 최대 3.2기가비트(Gbps)를 구현했다.
삼성전자는 “인공지능(AI) 서비스를 제공하는 고객들에게 9세대 V낸드는 최적의 솔루션이 될 것”이라고 기대했다.
챗GPT와 같은 대규모언어모델(LLM) 및 추론 모델을 훈련시키기 위해 AI 서버에 탑재되는 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 수요가 늘고 있는데, SSD는 낸드로 만든다.
삼성전자는 올 하반기엔 ‘QLC(하나의 셀에 4비트 데이터 기록하는 구조) V9’도 양산하겠다며 지속적인 신기술 확보로 2002년부터 이어온 낸드 1위 자리를 지킬 것을 예고했다.
삼성전자는 지난해 3분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 2030년까지 1000단 V낸드 개발 계획을 밝힌 바 있다.
이동수 기자
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