¼¼°è 1À§ ÆÄ¿îµå¸®(¹ÝµµÃ¼ À§Å¹»ý»ê) ¾÷ü TSMC°¡ ¿ÃÇØ 7°³ °øÀåÀ» Ãß°¡·Î °Ç¼³ÇÏ¸ç ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê ¿ª·® °È¿¡ ³ª¼±´Ù°í Áß±¹½Ãº¸ µî ´ë¸¸ ÇöÁö ¾ð·ÐÀÌ 24ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
º¸µµ¿¡ µû¸£¸é ´ë¸¸ ³²ºÎ ŸÀ̳¿¡ À§Ä¡ÇÑ TSMC 18B ÆÕ(fab¡¤¹ÝµµÃ¼ »ý»ê°øÀå)ÀÇ È²À§¾È±Å ¼ö¼® °øÀåÀåÀº Àü³¯ ´ë¸¸ ŸÀ̺£ÀÌ¿¡¼ ¿¸° ±â¼ú ½ÉÆ÷Áö¾ö¿¡¼ "°í°´»ç ¼ö¿ä ÃæÁ·À» À§ÇØ ¿ÃÇØ 2°÷ÀÇ ÇØ¿Ü ÆÕ°ú ÆÐŰ¡ °øÀå µîÀ» Æ÷ÇÔÇØ ±¹³»¿Ü¿¡ ÃÑ 7°³ °øÀåÀ» °Ç¼³ÇÒ ¿¹Á¤"À̶ó°í ¸»Çß´Ù.
Ȳ ¼ö¼® °øÀåÀåÀº "¿ÃÇØ ÀÚ»çÀÇ 3§¬(³ª³ë¹ÌÅÍ¡¤1§¬=10¾ïºÐÀÇ 1m) °øÁ¤ »ý»ê´É·ÂÀÌ Áö³Çغ¸´Ù 3¹è ´Ã¾î³µ´Ù"¸é¼µµ "¿©ÀüÈ÷ °ø±ÞÀÌ ¼ö¿ä¸¦ µû¶ó°¡Áö ¸øÇÏ°í ÀÖ´Ù"°í °øÀå Áõ¼³ÀÇ ¹è°æÀ» ¼³¸íÇß´Ù.
´Ù¸¥ ÇÑ °ü°èÀÚ´Â 3³ª³ë Á¦Ç°ÀÇ °ø±Þ ºÎÁ· ¿øÀÎÀ¸·Î °í¼º´ÉÄÄÇ»ÆÃ(HPC)°ú Ç÷¡±×½Ê ½º¸¶Æ®ÆùÀÇ ¼ö¿ä È®´ë¸¦ Áö¸ñÇß´Ù. ÇØ´ç °ü°èÀÚ´Â "¹Ì±¹ ¾ÖÇÃÀÇ A18 ÇÁ·Î¼¼¼, Ä÷ÄÄÀÇ ½º³Àµå·¡°ï8 4¼¼´ë, ¹Ìµð¾îÅØ µð¸à½ÃƼ 9400 µîÀÌ TSMC 3³ª³ë 2¼¼´ë °øÁ¤ÀÎ N3E Á¦Ç°À» äÅÃÇÒ °¡´É¼ºÀÌ Å©´Ù"¸ç "ÀÌ·Î ÀÎÇØ °ø±Þ ºÎÁ·ÀÌ ´õ¿í ½ÉÇØÁú °Í"À̶ó°í ¿¹ÃøÇß´Ù.
Ȳ ¼ö¼® °øÀåÀåÀº "ÆÐŰ¡ °øÀåÀΠŸÀÌÁß 5°øÀå(AP5)Àº 2025³âºÎÅÍ 'Ĩ ¿Â ¿þÀÌÆÛ ¿Â ¼ºê½ºÆ®·¹ÀÌÆ®'(CoWos)¶ó´Â ÷´Ü °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇÑ ¾ç»ê¿¡ µé¾î°¡°í, ÀÚÀÌ 7°øÀå(AP7)Àº 2026³âºÎÅÍ CoWos¿Í SoIC(System On Integrated Chips)¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ¾ç»ê¿¡ ³ª¼³ ¹æħ"À̶ó°í ¹àÇû´Ù. SoIC´Â TSMCÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ÆÐŰ¡ ºê·£µå·Î¼, ±âÁ¸ ÆÐŰ¡ ¹æ½Äº¸´Ù ÀüÀÚ À̵¿ Åë·Î¸¦ ´õ °¡´Ã°Ô ¸¸µé°í Ĩ °£ °Å¸®¸¦ ÁÙ¿© µ¥ÀÌÅÍ Àü¼Û ¼Óµµ¸¦ ²ø¾î¿Ã¸° °ÍÀÌ Æ¯Â¡ÀÌ´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ °ø°ÝÀûÀÎ ÆÄ¿îµå¸® È®ÀåÀº TSMC°¡ ÀΰøÁö´É(AI) »ê¾÷ÀÇ ÀáÀçÀû ¼ºÀå °¡´É¼ºÀ» ±àÁ¤ÀûÀ¸·Î Æò°¡ÇÏ°í ÀÖÀ½À» ½Ã»çÇÑ´Ù. TSMC´Â À̹ø ±â¼ú ½ÉÆ÷Áö¾ö¿¡¼ ¿ÃÇØ AI °¡¼Ó±â ¼ö¿ä°¡ Áö³Çغ¸´Ù 2.5¹è ¼ºÀåÇÒ °ÍÀ¸·Î ³»´ÙºÃ´Ù. ¶Ç 2030³â ¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê¾×Àº 1Á¶´Þ·¯(¾à 1300Á¶¿ø), ÀÌ °¡¿îµ¥ ÆÄ¿îµå¸® »ý»ê¾×ÀÌ 2500¾ï´Þ·¯(¾à 340Á¶¿ø)¿¡ À̸¦ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
Àå»þ¿Àâ TSMC ºñÁî´Ï½º °³¹ß ¼±ÀӺλçÀåÀº 2³ª³ë °øÁ¤ÀÇ °Ç¼³ Áøôµµ ¼øÁ¶·Ó´Ù¸é¼ 2025³âºÎÅÍ ¾ç»êÀÌ °¡´ÉÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù. ³ª³ë´Â ¹ÝµµÃ¼ ȸ·Î ¼±ÆøÀ» ÀǹÌÇÏ´Â ´ÜÀ§·Î, ¼±ÆøÀÌ Á¼À»¼ö·Ï ¼ÒºñÀü·ÂÀÌ ÁÙ°í ó¸® ¼Óµµ°¡ »¡¶óÁø´Ù. ÇöÀç ¼¼°è¿¡¼ °¡Àå ¾Õ¼± ¾ç»ê ±â¼úÀº 3³ª³ë´Ù. 2³ª³ë ºÎ¹®¿¡¼´Â TSMC°¡ ´ëü·Î ¿ì¼¼ÇÑ °ÍÀ¸·Î ¾÷°è¿¡¼± Æò°¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
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