삼성전자와 SK하이닉스가 낸드 플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2024'에 참가해 최신 인공지능(AI) 반도체를 대거 선보였다.

8일 업계에 따르면 두 기업은 6∼8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개최된 FMS에서 솔리드스테이트드라이브(SSD), 3D 낸드플래시, 고대역폭 메모리(HBM) 등을 공개했다.

올해로 18주년을 맞는 FMS는 지난해까지 세계 최대 낸드 플래시 행사 '플래시 메모리 서밋'이었지만 올해부터 D램을 포함한 메모리와 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다.
삼성전자는 이번 행사에서 최신 SSD 'PM1753'을 소개했다.
SSD는 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 메모리인 낸드 플래시를 여러 개 탑재한 반도체로, PM1753은 생성형 AI 추론과 학습에 사용되는 서버용 SSD다.
PM1753은 삼성전자가 3년 만에 내놓는 서버용 SSD로, 2021년 12월 공개한 PM1743 대비 전력효율과 성능이 각각 최대 1.7배 향상됐다.

삼성전자는 지난 4월 업계 처음으로 양산을 시작했다고 밝힌 3차원 낸드 플래시메모리인 '9세대 V낸드' 실물도 공개했다.
스마트폰과 SSD 등에 사용되는 9세대 V낸드는 '더블 스택'(2층) 구조로는 처음 300단 가까이 쌓아 올린 제품이다.
짐 앨리엇 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 미주 총괄 부사장은 6일 키노트 연설에서 "AI 발전을 위해서는 메모리 반도체의 성장이 함께 이뤄져야 한다"며 "삼성전자는 끊임없는 연구개발과 기술 리더십으로 저전력 기반의 고성능 제품 개발을 선도해 나가겠다"고 말했다.

SK하이닉스는 D램, 낸드 등 자동차·데이터센터 및 AI 관련 대용량·고성능 제품 39종 이상을 전시했다.
그중 최신 기업용 SSD 'PS1010'은 176단 4D 낸드를 다수 결합한 패키지 제품으로, PE8110 PCIe Gen4 대비 읽기·쓰기 속도가 최대 150% 이상 향상됐고 100% 이상 개선된 전성비를 갖췄다.
또 이번 분기 양산을 시작하는 5세대 HBM3E 12단과 내년 상반기 양산 목표인 321단 트리플레벨셀(TLC) 및 쿼드레벨셀(QLC) 4D 낸드 패키지 샘플과 321단 웨이퍼를 공개했다.

특히 엔비디아의 최신 AI 칩인 블랙웰 시리즈의 최상위 모델인 GB200에 HBM3E를 탑재한 실물을 공개하며 엔비디아와 파트너십을 과시했다.
이밖에도 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 메모리 설루션 'CMS 2.0'과 미국 로스앨러모스 국립 연구소와 공동 개발한 '객체 기반 컴퓨팅 스토리지(OCS)'을 소개했다.

아울러 6일 기조연설에는 'AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전'을 주제로 HBM과 SSD 개발을 담당하는 권언오 부사장과 김천성 부사장이 무대에 올랐다.
다음날 열린 FMS 슈퍼우먼 콘퍼런스에는 SK하이닉스 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장이 기조연설자로 나서 여성 기술 리더들에게 응원의 메시지를 전했다.