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SK키파운드리는 고전압IC(HVIC) 공정 기술 출시를 통해 자사 파운드리(반도체 위탁생산) 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다.
SK키파운드리 HVIC 공정은 5볼트(V)급 로직, 25볼트급 고전압 소자, 650볼트 이상의 nLDMOS·부트스트랩 다이오드 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이다.
 특히, 25볼트 고전압 소자, 650볼트 nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다.
비휘발성 메모리(Non-volatile) 소자인 MTP IP와 OTP IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다.
무엇보다 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 온 보드 차저(OBC)에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로 사업 확장이 기대된다.
SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발로 650∼1200볼트 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다.
이동재 SK키파운드리 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능하도록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 말했다.
한예주 기자 dpwngks@asiae.co.kr
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