[스포츠서울 | 표권향 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발했다.
이로써 10나노대 초반의 극 미세화된 메모리 공정 기술을 선보였다.
SK하이닉스는 관계자는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌다.
그러나 회사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해 냈다”라고 설명했다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 제작했다.
SK하이닉스 기술진은 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생 가능한 시행착오를 줄일 수 있다.
또 자체 1b의 장점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 판단했다.
또한 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용했다.
전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력도 확보했다.
설계 기술 혁신에 발맞춰 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 발전시켰다.
고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작 속도는 이전 세대 대비 11% 빨라진 8Gbps(초당 8Gb)다.
또 전력효율도 9% 이상 개선됐다.
AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나고 있다.
클라우드 서비스 운영 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용 시 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것이라는 전망이다.
SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마칠 예정이다.
내년부터 제품을 공급할 계획이다.
SK하이닉스 김종환 DRAM 개발담당·부사장은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것“이라며 “앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”라고 말했다.
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